安徽网 大皖客户端讯 今天下午，中宣部“推动高质量发展调研安徽行”采访团来到位于合肥的长鑫存储内存芯片自主制造项目。
长鑫存储内存芯片自主制造项目总投资不低于１５００亿元，其与国际主流 DRAM产 品 同 步 的 １０ 纳 米 级 第 一 代８Gb DDR４首度亮相,，一期设计产能每月１２万片晶圆。这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破,拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。
据介绍，长鑫存储将分三期建设三座12寸dram存储器晶圆厂，预计三期满产后产能36万片/月。
新安晚报 安徽网 大皖客户端记者 项磊
请输入验证码